GRAFENO

A estrutura do grafeno
Conheça o grafeno, material que
promete substituir o silício na fabricação de componentes eletrônicos
Constituído por uma folha microscópica de grafite, o material é capaz de
atingir frequências que podem passar dos 500 GHz.
O grafeno sempre
figura em uma série de notícias como um composto revolucionário na indústria
de eletrônicos, mas dificilmente é visto colocado em prática. Isso ocorre
porque essas partículas ainda não conseguem resultados melhores que o
silício, que domina o mercado, e porque manusear a substância ainda possui
algumas dificuldades. Agora, uma descoberta da Universidade da Pensilvânia
pode finalmente mudar esse quadro.
Os pesquisadores apostam na união de camadas de grafeno com outra
substância, o nitreto hexagonal de boro (hBN). Esse composto, que “mede”
algumas centenas de átomos, pode ser usada como transistor para dispositivos
eletrônicos. O desempenho seria até três vezes maior que o normal – mas
ainda insuficiente para superar o silício.
Aí vem o conceito que pode revolucionar o caso: como o boro (do hBN) e o
carbono (do grafeno) se relacionam bem a nível de elétrons, foi possível
produzir essa união em larga escala e em maior tamanho, utilizando átomos de
hidrogênio para “grudar” as duas substâncias.
O silício, material utilizado em grande quantidade
para a fabricação de processadores e outros componentes eletrônicos, parece
estar com seus dias contados. Embora a cada ano surjam dispositivos mais
eficientes, as limitações do material se tornam cada vez mais evidentes aos
olhos dos desenvolvedores.
Nos últimos anos, a tendência para obter equipamentos melhores foi apostar
na miniaturização dos componentes. Porém, conforme essa tecnologia mostra
sinais de desgaste e se torna mais difícil alcançar desempenhos mais
elevados, aumentam os esforços na busca por materiais baratos que sejam
capazes de substituir o silício.

A aposta de material para os componentes do futuro é o grafeno, uma forma
pura de carbono descoberta em 2004. Enquanto o silício suporta no máximo
frequências entre 4 a 5 GHz, esse valor pode passar dos 500 Ghz caso o
material utilizado seja o grafeno, devido às particularidades do material.
O Massachusetts Institute of Technology (MIT) desenvolveu um chip que tem o
grafeno como base, capaz de multiplicar frequências. Após cruzar o chip, foi
possível dobrar a frequência de um sinal eletromagnético, o que abre a
possibilidade de criar componentes eletrônicos muito mais eficientes.
O que é o grafeno?

O grafeno é constituído por uma camada extremamente fina de grafite, o mesmo
material encontrado em qualquer lápis comum. O que torna o material especial
é a estrutura hexagonal com que seus átomos individuais estão distribuídos,
que gera uma folha plana que, se enroladas, geram nanotubos de carbono.
Em um transistor, uma pequena corrente elétrica é utilizada para controlar
uma porta por onde passa uma corrente muito maior: o componente funciona
como uma chave que liga ou desliga a corrente conforme a necessidade do
dispositivo.
Como o grafeno é um material extremamente fino e que permite que cargas
elétricas fluam com facilidade, se mostra como uma alternativa ao silício na
construção de transistores ainda mais eficientes.
Além de servir para a construção de transistores e multiplicadores de
frequência, já se cogita utilizar o grafeno como substituto para o índio,
material raro utilizado para a fabricação de televisores
OLED.
Tecnologia sem prazo para virar padrão
O maior desafio enfrentado pelos desenvolvedores que apostam na nova
tecnologia é conseguir tornar viável o processo de fabricação em larga
escala. Como as folhas de grafeno possuem somente um átomo de espessura, a
maioria dos componentes testados até o momento só foram possíveis por terem
sido desenvolvidos em ambientes de laboratório.
Porém, tudo aponta que nos próximos anos haverá uma substituição gradual do
silício pelo grafeno, como apontam as pesquisas feitas pelo Laboratório
Nacional de Física, do Reino Unido.
Utilizando a mesma técnica utilizada para o crescimento de cristais, os
pesquisadores foram capazes de desenvolver amostras de grafeno com 50
milímetros quadrados – pouco menor do que os processadores encontrados no
mercado, e suficiente para a fabricação de componentes eletrônicos como
transistores.
Grafeno converte eletricidade em magnetismo
A equipe do ganhador do Prêmio Nobel
de Física pela descoberta do grafeno, Andre Geim, descobriu agora que
uma corrente elétrica pode magnetizar o grafeno.

A ilustração mostra um fluxo de elétrons (setas verdes) que magnetizam o
grafeno na direção oposta ao fluxo da corrente elétrica.[Imagem: Geim
Lab/Univ.Manchester/Science]
"O cálice sagrado da spintrônica é a conversão de eletricidade em
magnetismo e vice-versa. Nós descobrimos um novo mecanismo, graças às
propriedades únicas do grafeno. Acredito que vários caminhos na
spintrônica irão se beneficiar desta
descoberta," disse o Dr. Geim.
Spintrônica na prática
A
spintrônica é um grupo de tecnologias emergentes
que é capaz de usar o spin dos elétrons individuais, enquanto a
microeletrônica atual precisa de bilhões de elétrons em movimento para
se aproveitar de sua outra propriedade, a carga elétrica.
Foi a spintrônica que viabilizou a fabricação dos discos rígidos atuais,
na faixa dos terabytes: esses discos rígidos mais modernos
possuem um sensor magnético que usa uma corrente de spins para ler os
dados.
E as memórias de acesso
aleatórias magnéticas (MRAM),
que tam-bém são fruto da spintrônica, já começam a se difundir pelo
mer-cado.
O elemento chave da spintrônica está em conectar o spin do elétron - o
momento angular, que o faz comportar-se de forma similar a um pequeno
ímã - com a corrente elétrica, esta podendo ser manipu-lada de forma
muito eficiente com a microeletrônica tradicional e sua eletricidade.
Corrente de spins
Geim e seus colegas injetaram uma corrente elétrica
através de dois eletrodos colocados muito próximos um do outro em uma
folha de grafeno. A seguir,
eles mediram a tensão em uma região do gra-feno afastada 10 milionésimos
de metro dos eletrodos.
Em qualquer outro material, essa tensão deveria ser muito próxima de
zero, porque a fuga de corrente da rota que liga os dois eletro-dos vai
se tornando progressivamente mais fraca conforme se afasta dos
eletrodos.
Mas os cientistas descobriram que, quando eles aplicam um campo
magnético perpendicularmente à folha de grafeno, essa tensão na verdade
fica muito forte.
Isto seria um indício de uma corrente polarizada pelo spin, que seria
gerada porque o campo magnético gera um desbalancea-mento no número de
elétrons com spins para cima e spins para baixo - os cientistas
acreditam que o campo magnético gera uma condição mais favorável para um
tipo de spin do que para o outro.

Este é o
dispositivo usado para detectar a magnetização induzida no
grafeno. [Imagem: Abanin et al./Science]
Conexão entre magnetismo e eletricidade
O experimento mostra uma nova forma de conectar o spin e
a carga do elétron gerando um fluxo de spins na perpendicular da
corrente elétrica, tornando o grafeno magnetizado.
Isto lembra o efeito verificado nos chamados materiais de interação
spin-órbita, nos quais minúsculos campos magnéticos criados pelo núcleo
dos átomos afeta o movimento dos elétrons em um cristal.
A diferença é que, nos materiais de interação spin-órbita, o efeito é
fraco demais para ser usado na prática com a tecnologia atual. No
grafeno, o efeito agora medido é muito mais forte e tem a vantagem
adicional de poder ser ajustado variando-se o campo magnético externo.
Os pesquisadores mostraram ainda que o grafeno depositado sobre o
nitreto de boro, como usado em seu experimento, torna-se um material
ideal para a spintrônica porque o magnetismo que
o nitreto de boro induz se estende por distâncias macroscópicas sem
decaimento.
Vantagens e desvantagens
Levará ainda algum tempo para que os cientistas explorem
todo o possível impacto desta descoberta, mas todos são unânimes em
dizer que a possibilidade de usar o grafeno para fazer a conexão entre o
spin e a carga do elétron usando um campo magnético relativamente fraco
é um achado significativo.
Embora ainda não tenha sido demonstrado na prática, a descoberta abre a
possibilidade de criação de transistores baseados
no spin do elétron.
A necessidade de aplicação de um campo magnético externo, por outro
lado, parece ser uma desvantagem quando se tem em vista as possíveis
aplicações práticas da descoberta - isso poderia significar que um
componente spintrônico de grafeno poderia sofrer a interferência de
campos magnéticos indesejados ao seu redor.
Bibliografia:
Giant Nonlocality Near the Dirac Point in Graphene
D. A. Abanin, S. V. Morozov, L. A. Ponomarenko, R. V. Gorbachev, A. S.
Mayorov, M. I. Katsnelson, K. Watanabe, T. Taniguchi, K. S. Novoselov,
L. S. Levitov, A. K. Geim
Science
15 April 2011
Vol.: 332 no. 6027 pp. 328-330
DOI: 10.1126/science.1199595
Another Spin on Graphene
Antonio H. Castro Neto
Science
15 April 2011
Vol.: 332 no. 6027 pp. 315-316
DOI: 10.1126/science.1204496
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04/03/19